IPI045N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Número da pe?a NOVA:
312-2275502-IPI045N10N3GXKSA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPI045N10N3GXKSA1
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO262-3 | |
| Número do produto base | IPI045 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8410 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 214W (Tc) | |
| Outros nomes | SP000683068 IFEINFIPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3 G-ND 2156-IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3G IPI045N10N3 G |
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