IRFH5010TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2288445-IRFH5010TRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRFH5010TRPBF
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-PQFN (5x6) | |
| Número do produto base | IRFH5010 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.6W (Ta), 250W (Tc) | |
| Outros nomes | IRFH5010TRPBF-ND IRFH5010TRPBFCT SP001560282 IRFH5010TRPBFDKR IRFH5010TRPBFTR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
AP3783RAK6TR-G1Diodes Incorporated
AD7606BSTZAnalog Devices Inc.
1N4148WTDiotec Semiconductor
SIHU6N65E-GE3Vishay Siliconix
IRLH5030TRPBFInfineon Technologies
XA7Z020-1CLG400QXilinx Inc.
DF06S-TDiodes Incorporated
