SCTWA50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Número da pe?a NOVA:
312-2291915-SCTWA50N120
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SCTWA50N120
Embalagem padr?o:
600
Ficha técnica:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | HiP247™ | |
| Número do produto base | SCTWA50 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 65A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 20 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | +25V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 318W (Tc) | |
| Outros nomes | SCTWA50N120-ND 497-SCTWA50N120 -1138-SCTWA50N120 497-18637 497-18637-ND |
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