PSMN1R2-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Número da pe?a NOVA:
312-2288067-PSMN1R2-30YLDX
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PSMN1R2-30YLDX
Embalagem padr?o:
1,500
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 194W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Número do produto base | PSMN1R2 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.24mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4616 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 194W (Tc) | |
| Outros nomes | PSMN1R2-30YLDX-ND 568-11556-1 568-11556-2 1727-1860-1 1727-1860-2 934068235115 568-11556-2-ND PSMN0R9-30YLD,115 568-11556-1-ND 1727-1860-6 568-11556-6-ND 568-11556-6 |
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