SQ4153EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Número da pe?a NOVA:
312-2291194-SQ4153EY-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQ4153EY-T1_GE3
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 12 V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC | |
| Número do produto base | SQ4153 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 25A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.32mOhm @ 14A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 12 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 6 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 7.1W (Tc) | |
| Outros nomes | SQ4153EY-T1_GE3DKR SQ4153EY-T1_GE3TR SQ4153EY-T1_GE3CT SQ4153EY-T1_GE3-ND |
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