DMNH10H028SPSQ-13
MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Número da pe?a NOVA:
312-2273309-DMNH10H028SPSQ-13
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMNH10H028SPSQ-13
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerDI5060-8 | |
| Número do produto base | DMNH10 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2245 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.6W (Ta) | |
| Outros nomes | DMNH10H028SPSQ-13DIDKR DMNH10H028SPSQ-13DICT DMNH10H028SPSQ-13DITR |
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