SCT3160KLHRC11

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-247N
Número do produto base	SCT3160
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Series	Automotive, AEC-Q101
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	17A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 2.5mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 18 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-247-3
Vgs (Máx.)	+22V, -4V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	1200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	398 pF @ 800 V
Dissipação de energia (máx.)	103W

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