STB38N65M5
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2293399-STB38N65M5
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STB38N65M5
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D²PAK (TO-263) | |
| Número do produto base | STB38 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | MDmesh™ V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 190W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-13086-6 497-13086-2 497-13086-1 |
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