STB12NM50T4
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2297904-STB12NM50T4
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STB12NM50T4
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 550 V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D2PAK | |
| Número do produto base | STB12 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | MDmesh™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 50µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 550 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 160W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-5381-6 497-5381-6-ND 497-STB12NM50T4TR 497-5381-2-ND 497-5381-1-ND STB12NM50T4-ND 497-STB12NM50T4DKR 497-STB12NM50T4CT 497-5381-1 497-5381-2 |
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