IRF510PBF-BE3

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

Número da pe?a NOVA:

312-2288465-IRF510PBF-BE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IRF510PBF-BE3

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-220AB
Número do produto base	IRF510
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.3 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	180 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	43W (Tc)
Outros nomes	742-IRF510PBF-BE3

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