FQT4N20LTF
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Número da pe?a NOVA:
312-2285251-FQT4N20LTF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FQT4N20LTF
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-223-4 | |
| Número do produto base | FQT4N20 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | QFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 850mA (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 425mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.2W (Tc) | |
| Outros nomes | FQT4N20LTFDKR FAIFSCFQT4N20LTF FQT4N20LTF-ND FQT4N20LTFTR FQT4N20LTFCT 2156-FQT4N20LTF-OS |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IRFL210TRPBFVishay Siliconix
STN4NF20LSTMicroelectronics
IRLM220ATFonsemi
BSP122,115Nexperia USA Inc.
