PMCM950ENEZ
MOSFET N-CH 60V 4.8A 9WLCSP
Número da pe?a NOVA:
312-2298830-PMCM950ENEZ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PMCM950ENEZ
Embalagem padr?o:
4,500
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 4.8A (Ta) 780mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 9-WLCSP (1.48x1.48)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 9-WLCSP (1.48x1.48) | |
| Número do produto base | PMCM950 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4.8A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 9-XFBGA, WLCSP | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 780mW (Ta), 12.5W (Tc) | |
| Outros nomes | 934660311023 |
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