IRFHS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Número da pe?a NOVA:
312-2285033-IRFHS8342TRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRFHS8342TRPBF
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount PG-TSDSON-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TSDSON-6 | |
| Número do produto base | IRFHS8342 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta), 19A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Ta) | |
| Outros nomes | SP001556608 IRFHS8342TRPBFTR IRFHS8342TRPBFDKR IRFHS8342TRPBFCT IRFHS8342TRPBF-ND |
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