CSD18512Q5BT

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Texas Instruments
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-VSON-CLIP (5x6)
Número do produto base	CSD18512
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	NexFET™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	211A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7120 pF @ 20 V
Dissipação de energia (máx.)	139W (Tc)
Outros nomes	296-CSD18512Q5BTCT CSD18512Q5BT-ND 2156-CSD18512Q5BT TEXTISCSD18512Q5BT 296-CSD18512Q5BTDKR 296-CSD18512Q5BTTR

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