TK65E10N1,S1X
MOSFET N CH 100V 148A TO220
Número da pe?a NOVA:
312-2276394-TK65E10N1,S1X
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK65E10N1,S1X
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 148A (Ta) 192W (Tc) Through Hole TO-220
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220 | |
| Número do produto base | TK65E10 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVIII-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 148A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 32.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5400 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 192W (Tc) | |
| Outros nomes | TK65E10N1S1X TK65E10N1,S1X(S |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
STP240N10F7STMicroelectronics
CSD19536KCSTexas Instruments
SUP70042E-GE3Vishay Siliconix- STP150N10F7STMicroelectronics
- CSD19534KCSTexas Instruments
IRFB4110PBFInfineon Technologies- IRF100B201Infineon Technologies
- CSD19535KCSTexas Instruments
SUP70030E-GE3Vishay Siliconix
TK100E10N1,S1XToshiba Semiconductor and Storage
