ZXMN2A03E6TA
MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Número da pe?a NOVA:
312-2274604-ZXMN2A03E6TA
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
ZXMN2A03E6TA
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 20 V 3.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-6 | |
| Número do produto base | ZXMN2 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 7.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 837 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.1W (Ta) | |
| Outros nomes | ZXMN2A03E6DKR ZXMN2A03E6TR ZXMN2A03E6CT ZXMN2A03E6TR-NDR ZXMN2A03E6CT-NDR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
LTC4054ES5-4.2#TRMPBFAnalog Devices Inc.
NTHS5404T1Gonsemi
ZXMN3A03E6TADiodes Incorporated- ZXMN2A01E6TADiodes Incorporated
BSS806NH6327XTSA1Infineon Technologies
ZXMN2A01FTADiodes Incorporated
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.
BSH105,215Nexperia USA Inc.- ZXMN2B03E6TADiodes Incorporated
IRLTS2242TRPBFInfineon Technologies- BSS205NH6327XTSA1Infineon Technologies
