SIRA20BDP-T1-GE3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8
Número do produto base	SIRA20
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	82A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	186 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	+16V, -12V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	25 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9950 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	6.3W (Ta), 104W (Tc)
Outros nomes	742-SIRA20BDP-T1-GE3TR 742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT

In stock Entre em contato conosco.

N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.

Encontramos outros produtos que você pode gostar!