PMPB215ENEAX
MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Número da pe?a NOVA:
312-2290042-PMPB215ENEAX
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PMPB215ENEAX
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 1.9A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DFN2020MD-6 | |
| Número do produto base | PMPB215 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 1.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-UDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 215 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) | |
| Outros nomes | 1727-8340-2 1727-8340-1 934067477115 1727-8340-6 PMPB215ENEAX-ND |
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