TPH9R506PL,LQ

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	175°C
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SOP Advance (5x5)
Número do produto base	TPH9R506
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	U-MOSIX-H
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 200µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1910 pF @ 30 V
Dissipação de energia (máx.)	830mW (Ta), 81W (Tc)
Outros nomes	264-TPH9R506PLLQTR 264-TPH9R506PLLQCT TPH9R506PL,LQ(S 264-TPH9R506PLLQDKR

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