SI2304DS,215
MOSFET N-CH 30V 1.7A TO236AB
Número da pe?a NOVA:
312-2314344-SI2304DS,215
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI2304DS,215
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 1.7A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-236AB | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 830mW (Tc) | |
| Outros nomes | SI2304DS T/R SI2304DS T/R-ND SI2304DS,215-ND 568-5957-2 568-5957-1 568-5957-6 934056633215 |
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