IRFR825PBF
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Número da pe?a NOVA:
312-2295910-IRFR825PBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRFR825PBF
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount D-Pak
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | International Rectifier | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D-Pak | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 3.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 500 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1346 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 119W (Tc) | |
| Outros nomes | INFIRFIRFR825PBF 2156-IRFR825PBF |
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