IXTF1R4N450
MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC
Número da pe?a NOVA:
312-2314532-IXTF1R4N450
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTF1R4N450
Embalagem padr?o:
25
Ficha técnica:
N-Channel 4500 V 1.4A (Tc) 190W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| Número do produto base | IXTF1 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40Ohm @ 50mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | i4-Pac™-5 (3 Leads) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 4500 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 190W (Tc) | |
| Outros nomes | -IXTF1R4N450 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IXTT1N450HVIXYS
IXTH02N450HVIXYS
IXTF1N450IXYS