IRF3808STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2264326-IRF3808STRLPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRF3808STRLPBF
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 75 V 106A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D2PAK | |
| Número do produto base | IRF3808 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 106A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 82A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 75 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5310 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 200W (Tc) | |
| Outros nomes | IRF3808STRLPBFCT IRF3808STRLPBFDKR IRF3808STRLPBFTR SP001559612 IRF3808STRLPBF-ND |
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