SI1013X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Número da pe?a NOVA:
312-2284564-SI1013X-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI1013X-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SC-89-3 | |
| Número do produto base | SI1013 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-89, SOT-490 | |
| Vgs (Máx.) | ±6V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 250mW (Ta) | |
| Outros nomes | SI1013X-T1-GE3TR SI1013X-T1-GE3DKR SI1013XT1GE3 SI1013X-T1-GE3CT |
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