STB11NM80T4

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	STMicroelectronics
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	D2PAK
Número do produto base	STB11
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	MDmesh™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	43.6 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	800 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1630 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	150W (Tc)
Outros nomes	497-4319-1-ND 497-4319-1 497-4319-2 497-4319-1-NDR 497-4319-6 -1138-STB11NM80T4CT -1138-STB11NM80T4DKR 497-STB11NM80T4TR 497-4319-2-NDR 497-STB11NM80T4DKR 497-4319-6-ND 497-STB11NM80T4CT 497-4319-2-ND -1138-STB11NM80T4TR

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