SQS481ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Número da pe?a NOVA:
312-2287756-SQS481ENW-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQS481ENW-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 150 V 4.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® 1212-8 | |
| Número do produto base | SQS481 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.095Ohm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 150 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 385 pF @ 75 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 62.5W (Tc) | |
| Outros nomes | SQS481ENW-T1_GE3DKR SQS481ENW-T1_GE3CT SQS481ENW-T1_GE3TR |
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