SIS435DNT-T1-GE3

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 1212-8
Número do produto base	SIS435
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	180 nC @ 8 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® 1212-8
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5700 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	3.7W (Ta), 39W (Tc)
Outros nomes	SIS435DNT-T1-GE3TR SIS435DNT-T1-GE3DKR SIS435DNT-T1-GE3CT

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