BSC070N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Número da pe?a NOVA:
312-2280911-BSC070N10NS3GATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC070N10NS3GATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-1 | |
| Número do produto base | BSC070 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 90A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 114W (Tc) | |
| Outros nomes | BSC070N10NS3 GDKR BSC070N10NS3GATMA1CT BSC070N10NS3 G-ND SP000778082 BSC070N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC070N10NS3GATMA1DKR BSC070N10NS3 GCT BSC070N10NS3 GCT-ND BSC070N10NS3GATMA1TR BSC070N10NS3 G BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC070N10NS3G BSC070N10NS3GXT BSC070N10NS3 GTR-ND BSC070N10NS3 GDKR-ND |
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