CSD19506KTT

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Texas Instruments
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	DDPAK/TO-263-3
Número do produto base	CSD19506
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	NexFET™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	200A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	156 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	80 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12200 pF @ 40 V
Dissipação de energia (máx.)	375W (Tc)
Outros nomes	296-49604-6 CSD19506KTT-ND 296-49604-1 296-49604-2

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