IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Número da pe?a NOVA:
312-2291223-IPD80R2K8CEATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPD80R2K8CEATMA1
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3 | |
| Número do produto base | IPD80R2 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ CE | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.9A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 1.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 800 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 42W (Tc) | |
| Outros nomes | INFINFIPD80R2K8CEATMA1 SP001130970 IPD80R2K8CEATMA1-ND 2156-IPD80R2K8CEATMA1 IPD80R2K8CEATMA1CT IPD80R2K8CEATMA1DKR IPD80R2K8CEATMA1TR |
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