RU1C002ZPTCL
MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Número da pe?a NOVA:
312-2284010-RU1C002ZPTCL
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RU1C002ZPTCL
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | UMT3F | |
| Número do produto base | RU1C002 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-85 | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 115 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 150mW (Ta) | |
| Outros nomes | RU1C002ZPTCLCT RU1C002ZPTCLTR RU1C002ZPTCLDKR |
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