STL3N10F7
MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
Número da pe?a NOVA:
312-2272559-STL3N10F7
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STL3N10F7
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 4A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerFlat™ (2x2) | |
| Número do produto base | STL3 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-PowerWDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 408 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.4W (Tc) | |
| Outros nomes | -497-14993-1 -497-14993-2 497-14993-2 497-14993-1 497-14993-6 -497-14993-6 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
FDMA86151Lonsemi
SI2300DS-T1-GE3Vishay Siliconix
AON2290Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IRL100HS121Infineon Technologies
BUK6D385-100EXNexperia USA Inc.
SSM6K361NU,LFToshiba Semiconductor and Storage