DMN2320UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Número da pe?a NOVA:
312-2301449-DMN2320UFB4-7B
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMN2320UFB4-7B
Embalagem padr?o:
10,000
Ficha técnica:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 520mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | X2-DFN1006-3 | |
| Número do produto base | DMN2320 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 500mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.89 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 3-XFDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 71 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 520mW (Ta) | |
| Outros nomes | DMN2320UFB4-7BDITR DMN2320UFB4-7BDICT DMN2320UFB4-7BDIDKR DMN2320UFB4-7BDI |
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