IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
Número da pe?a NOVA:
312-2291916-IXFN82N60Q3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXFN82N60Q3
Embalagem padr?o:
10
Ficha técnica:
N-Channel 600 V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Chassis Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-227B | |
| Número do produto base | IXFN82 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HiPerFET™, Q3 Class | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 66A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 41A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 275 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 600 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13500 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 960W (Tc) |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IXFN82N60PIXYS