STB30N65DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Número da pe?a NOVA:
312-2273058-STB30N65DM6AG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STB30N65DM6AG
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 223W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D²PAK (TO-263) | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 28A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 223W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-STB30N65DM6AGTR 497-STB30N65DM6AGDKR 497-STB30N65DM6AGCT |
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