IPT010N08NM5ATMA1

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TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8

Número da pe?a NOVA:

312-2299069-IPT010N08NM5ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPT010N08NM5ATMA1

Embalagem padr?o:

2,000

Ficha técnica:

N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-HSOF-8
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	43A (Ta), 425A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 280µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	223 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerSFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	80 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	16000 pF @ 40 V
Dissipação de energia (máx.)	3.8W (Ta), 375W (Tc)
Outros nomes	SP005560711 448-IPT010N08NM5ATMA1DKR 448-IPT010N08NM5ATMA1TR 448-IPT010N08NM5ATMA1CT