FDP4D5N10C
MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Número da pe?a NOVA:
312-2311311-FDP4D5N10C
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDP4D5N10C
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220-3 | |
| Número do produto base | FDP4D5 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | PowerTrench® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 128A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 310µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5065 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.4W (Ta), 150W (Tc) |
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