SCT3120AW7TL
SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Número da pe?a NOVA:
312-2293806-SCT3120AW7TL
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SCT3120AW7TL
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 100W Surface Mount TO-263-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263-7 | |
| Número do produto base | SCT3120 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 21A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 6.7A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.33mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 18 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -4V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 500 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 100W | |
| Outros nomes | 846-SCT3120AW7TLTR 846-SCT3120AW7TLDKR 846-SCT3120AW7TLCT |
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