BSM180C12P3C202
SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Número da pe?a NOVA:
312-2275707-BSM180C12P3C202
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSM180C12P3C202
Embalagem padr?o:
12
Ficha técnica:
N-Channel 1200 V 180A (Tc) 880W (Tc) Chassis Mount Module
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Chassis Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | Module | |
| Número do produto base | BSM180 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 180A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 50mA | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | Module | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -4V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 880W (Tc) | |
| Outros nomes | 846-BSM180C12P3C202 |
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