FDB86366-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2297721-FDB86366-F085
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDB86366-F085
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D²PAK (TO-263) | |
| Número do produto base | FDB86366 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 110A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 112 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6280 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 176W (Tj) | |
| Outros nomes | FDB86366-F085CT FDB86366-F085DKR FDB86366_F085 2156-FDB86366-F085-OS ONSONSFDB86366-F085 FDB86366-F085TR FDB86366_F085CT-ND FDB86366_F085TR-ND FDB86366_F085-ND FDB86366_F085TR FDB86366_F085DKR-ND |
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