BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Número da pe?a NOVA:
312-2282044-BSC16DN25NS3GATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC16DN25NS3GATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-5 | |
| Número do produto base | BSC16DN25 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10.9A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 32µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 250 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 62.5W (Tc) | |
| Outros nomes | BSC16DN25NS3GTR-ND BSC16DN25NS3GDKR BSC16DN25NS3GATMA1DKR BSC16DN25NS3GATMA1TR BSC16DN25NS3GCT BSC16DN25NS3GTR SP000781782 BSC16DN25NS3GATMA1CT BSC16DN25NS3GCT-ND BSC16DN25NS3G BSC16DN25NS3 G BSC16DN25NS3GDKR-ND |
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