TK3R1P04PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2285619-TK3R1P04PL,RQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK3R1P04PL,RQ
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 40 V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DPAK | |
| Número do produto base | TK3R1P04 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSIX-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 58A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 29A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 500µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4670 pF @ 20 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 87W (Tc) | |
| Outros nomes | TK3R1P04PLRQCT TK3R1P04PLRQ(S2 TK3R1P04PLRQDKR TK3R1P04PL,RQ(S2 TK3R1P04PLRQTR TK3R1P04PLRQ TK3R1P04PL,RQTR |
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