PMV65XPEAR
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Número da pe?a NOVA:
312-2284797-PMV65XPEAR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PMV65XPEAR
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-236AB | |
| Número do produto base | PMV65 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 2.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 618 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 480mW (Ta), 6.25W (Tc) | |
| Outros nomes | 568-12596-2-ND 568-12596-1 568-12596-1-ND 1727-2310-6 568-12596-6 1727-2310-1 1727-2310-2 568-12596-6-ND 568-12596-2 934068708215 |
In stock Precisa de mais?
0,19910 US$
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- NTR5103NT1Gonsemi
- PMV65XPERNexperia USA Inc.
- SI2393DS-T1-GE3Vishay Siliconix
- PMV37ENEARNexperia USA Inc.
- DRV8833PWPRTexas Instruments
- PMV65XPEA,215Nexperia USA Inc.
- G5V-1-DC3Omron Electronics Inc-EMC Div
- ANT016008LCS2442MA1TDK Corporation
- BSS138LT1Gonsemi
- PMV65XPEA215NXP USA Inc.
- PMV65XP,215Nexperia USA Inc.









