NE3520S03-T1C-A
RF K BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
Número da pe?a NOVA:
308-2257899-NE3520S03-T1C-A
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NE3520S03-T1C-A
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
RF Mosfet HFET 2 V 20GHz 13.5dB - 4-SMD
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - RF | |
| Fabricante | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 4-SMD | |
| Series | - | |
| Ganho | 13.5dB | |
| Tensão - Teste | 2 V | |
| Figura de ruído | - | |
| Potência da saída | - | |
| Pacote / Estojo | 4-SMD, Flat Leads | |
| Classificação atual (ampères) | 70mA | |
| Tensão - Nominal | 4 V | |
| Frequência | 20GHz | |
| Tipo de transistor | HFET | |
| Outros nomes | 2156-NE3520S03-T1C-A RENRNSNE3520S03-T1C-A |
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