SI5935CDC-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8

Número da pe?a NOVA:

303-2250898-SI5935CDC-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI5935CDC-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	1206-8 ChipFET™
Número do produto base	SI5935
Pacote / Estojo	8-SMD, Flat Lead
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 5V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 10V
Potência - Máx.	3.1W
Outros nomes	SI5935CDC-T1-GE3DKR SI5935CDC-T1-GE3CT SI5935CDC-T1-GE3TR SI5935CDCT1GE3

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