SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Número da pe?a NOVA:
303-2249052-SIS932EDN-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIS932EDN-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Número do produto base | SIS932 | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V | |
| Recurso FET | Standard | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V | |
| Potência - Máx. | 2.6W (Ta), 23W (Tc) | |
| Outros nomes | SIS932EDN-T1-GE3TR SIS932EDN-T1-GE3CT SIS932EDN-T1-GE3DKR |
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