CSD85312Q3E

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Número da pe?a NOVA:

303-2247533-CSD85312Q3E

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

CSD85312Q3E

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Texas Instruments
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-VSON (3.3x3.3)
Número do produto base	CSD85312
Pacote / Estojo	8-PowerVDFN
Series	NexFET™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
Recurso FET	Logic Level Gate, 5V Drive
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 10V
Potência - Máx.	2.5W
Outros nomes	-CSD85312Q3E-NDR TEXTISCSD85312Q3E 296-37187-6 2156-CSD85312Q3E 296-37187-1 296-37187-2 -296-37187-1 -296-37187-1-ND CSD85312Q3E-ND

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