CSD86330Q3D

MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON

Número da pe?a NOVA:

303-2250766-CSD86330Q3D

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

CSD86330Q3D

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Texas Instruments
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-LSON (3.3x3.3)
Número do produto base	CSD86330Q3
Pacote / Estojo	8-PowerLDFN
Series	NexFET™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.6mOhm @ 14A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	25V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 12.5V
Potência - Máx.	6W
Outros nomes	296-28216-2 TEXTISCSD86330Q3D 296-28216-6 -296-28216-1-ND -CSD86330Q3D-NDR 2156-CSD86330Q3D 296-28216-1

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