EPC2101
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Número da pe?a NOVA:
303-2247968-EPC2101
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
EPC2101
Embalagem padr?o:
500
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A - Surface Mount Die
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | Die | |
| Pacote / Estojo | Die | |
| Series | eGaN® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V | |
| Recurso FET | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V | |
| Potência - Máx. | - | |
| Outros nomes | 917-1181-6 917-1181-2 917-1181-1 |
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