SIA906EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Número da pe?a NOVA:
303-2250914-SIA906EDJ-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIA906EDJ-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| Número do produto base | SIA906 | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4.5A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3.9A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V | |
| Recurso FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V | |
| Potência - Máx. | 7.8W | |
| Outros nomes | SIA906EDJT1GE3 SIA906EDJ-T1-GE3DKR SIA906EDJ-T1-GE3TR SIA906EDJ-T1-GE3-ND SIA906EDJ-T1-GE3CT |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- ASEMPLV-156.250MHZ-LR-TAbracon LLC
- HHM1595A1TDK Corporation
- AD9371BBCZAnalog Devices Inc.
- TCM1-83X+Mini-Circuits
- CVHD-950X-122.880Crystek Corporation
- ADP7158ACPZ-3.3-R7Analog Devices Inc.






